علم

شمسی فوٹوولٹک کے لیے N-type اور P-type monocrystalline سلکان ویفرز کے درمیان بنیادی فرق

شمسی فوٹوولٹکس کے لیے N-type اور P-type monocrystalline سلکان ویفرز کے درمیان بنیادی فرق

مونو کرسٹل لائن سلکان ویفرز میں نیم دھاتوں کی جسمانی خصوصیات ہیں، کمزور چالکتا کے ساتھ، اور بڑھتے ہوئے درجہ حرارت کے ساتھ ان کی چالکتا بڑھ جاتی ہے۔ ان میں اہم سیمی کنڈکٹنگ خصوصیات بھی ہیں۔ بوران کی تھوڑی مقدار کے ساتھ الٹرا پیور مونوکرسٹل لائن سلکان ویفرز کو ڈوپ کرنے سے، چالکتا کو بڑھا کر پی قسم کا سلکان سیمی کنڈکٹر بنایا جا سکتا ہے۔ اسی طرح، فاسفورس یا سنکھیا کی تھوڑی مقدار کے ساتھ ڈوپنگ بھی چالکتا کو بڑھا سکتی ہے، جس سے ایک N-قسم کا سلکان سیمی کنڈکٹر بنتا ہے۔ تو، P-type اور N-type سلکان ویفرز میں کیا فرق ہے؟

P-type اور N-type monocrystalline سلکان ویفرز کے درمیان بنیادی فرق مندرجہ ذیل ہیں:

ڈوپینٹ: مونوکریسٹل لائن سلکان میں، فاسفورس کے ساتھ ڈوپنگ اسے N-ٹائپ بناتی ہے، اور بوران کے ساتھ ڈوپنگ اسے P-ٹائپ بناتی ہے۔

چالکتا: این ٹائپ الیکٹران کنڈکٹنگ ہے، اور پی ٹائپ ہول کنڈکٹنگ ہے۔

کارکردگی: جتنا زیادہ فاسفورس کو N-قسم میں ڈالا جاتا ہے، اتنے ہی زیادہ آزاد الیکٹران ہوتے ہیں، چالکتا اتنا ہی مضبوط ہوتا ہے، اور مزاحمتی صلاحیت اتنی ہی کم ہوتی ہے۔ پی قسم میں جتنا زیادہ بوران ڈوپ کیا جاتا ہے، سلیکان کی جگہ لے کر اتنے ہی زیادہ سوراخ پیدا ہوتے ہیں، چالکتا اتنا ہی مضبوط اور مزاحمتی صلاحیت اتنی ہی کم ہوتی ہے۔

فی الحال، فوٹو وولٹک صنعت میں P قسم کے سلکان ویفرز مرکزی دھارے کی مصنوعات ہیں۔ پی قسم کے سلکان ویفرز بنانے میں آسان ہیں اور ان کی قیمت کم ہے۔ این قسم کے سلکان ویفرز میں عام طور پر اقلیتی کیریئر کی زندگی طویل ہوتی ہے، اور شمسی خلیوں کی کارکردگی کو زیادہ بنایا جا سکتا ہے، لیکن یہ عمل زیادہ پیچیدہ ہے۔ این قسم کے سلکان ویفرز کو فاسفورس کے ساتھ ڈوپ کیا جاتا ہے، جس میں سلکان کے ساتھ حل پذیری کم ہوتی ہے۔ راڈ ڈرائنگ کے دوران، فاسفورس یکساں طور پر تقسیم نہیں ہوتا ہے۔ پی قسم کے سلیکون ویفرز کو بوران کے ساتھ ڈوپ کیا جاتا ہے، جس میں سلکان کی طرح علیحدگی کا گتانک ہوتا ہے، اور بازی کی یکسانیت کو کنٹرول کرنا آسان ہے۔